Tillverkare Produktnummer:
IXFP4N100P
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXFP4N100P-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1000 V 4A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventarier:
12909480
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXFP4N100P Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1000 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1456 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
150W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IXFP4N100
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STP5NK100Z
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3779
DEL NUMMER
STP5NK100Z-DG
ENHETSPRIS
1.69
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
5LN01SS-TL-E
MOSFET N-CH 50V 100MA 3SSFP
IXFN30N110P
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
IRF9510STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
