Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IXFN30N110P
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXFN30N110P-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1100 V 25A (Tc) 695W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventarier:
Förfrågan Online
12909523
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXFN30N110P Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
-
Serie
HiPerFET™, Polar
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
360mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
235 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13600 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
695W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Chassis Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-227B
Paket / Fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Grundläggande produktnummer
IXFN30
Datablad och dokument
Datablad
IXFN30N110P
Datasheets
IXFN30N110P
HTML-Datasheet
IXFN30N110P-DG
Ytterligare information
Standard-paket
10
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
APT10035JFLL
Tillverkare
Microchip Technology
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
APT10035JFLL-DG
ENHETSPRIS
43.61
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
APT10035JLL
Tillverkare
Microchip Technology
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
APT10035JLL-DG
ENHETSPRIS
47.78
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF9510STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
IRFIB5N65APBF
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
IXFP34N65X2
MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
IRFR310TRL
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK