Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IXFN100N10S1
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXFN100N10S1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 360W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventarier:
Förfrågan Online
12821587
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXFN100N10S1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
-
Serie
HiPerFET™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
15mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4500 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
360W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Chassis Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-227B
Paket / Fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Grundläggande produktnummer
IXFN100
Datablad och dokument
Datablad
IXFN100N10S1/2/3
Datasheets
IXFN100N10S1
HTML-Datasheet
IXFN100N10S1-DG
Ytterligare information
Standard-paket
10
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
APT10M11JVRU2
Tillverkare
Microchip Technology
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
APT10M11JVRU2-DG
ENHETSPRIS
30.73
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IXFN360N10T
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IXFN360N10T-DG
ENHETSPRIS
16.71
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXFH160N15T
MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD
IXFH18N60X
MOSFET N-CH 600V 18A TO247
AUIRF1404S
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
IXTX550N055T2
MOSFET N-CH 55V 550A PLUS247-3