IXFN360N10T

Tillverkare Produktnummer:

IXFN360N10T

Product Overview

Tillverkare:

IXYS

DiGi Electronics Delenummer:

IXFN360N10T-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 100 V 360A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventarier:

Förfrågan Online

12821211

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IXFN360N10T Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Littelfuse

Förpackning

Tube

Serie

HiPerFET™, Trench

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

100 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

360A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

2.6mOhm @ 180A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

505 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

36000 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

830W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Chassis Mount

Paket för leverantörsenhet

SOT-227B

Paket / Fodral

SOT-227-4, miniBLOC

Grundläggande produktnummer

IXFN360

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

10

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

littelfuse

IXTU5N50P

MOSFET N-CH 500V 4.8A TO252

littelfuse

IXTH52N65X

MOSFET N-CH 650V 52A TO247

littelfuse

IXTH12N65X2

MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3

littelfuse

IXTY01N100D

MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA