IRF60B217
Tillverkare Produktnummer:

IRF60B217

Product Overview

Tillverkare:

International Rectifier

DiGi Electronics Delenummer:

IRF60B217-DG

Beskrivning:

TRENCH 40<-<100V
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

Inventarier:

3490 Pcs Ny Original I Lager
12976825
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRF60B217 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
9mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 50µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2230 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
83W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3-1
Paket / Fodral
TO-220-3

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
388
Andra namn
2156-IRF60B217

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS non-compliant
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
nxp-semiconductors

PMPB20EN/S500X

PMPB20EN - 30V, N-CHANNEL TRENCH

renesas-electronics-america

2SK2054-T1-AZ

2SK2054 - SWITCHING N-CHANNEL PO

renesas-electronics-america

UPA1902TE-T1-AT

UPA1902TE-T1-AT - N-CHANNEL MOS

renesas-electronics-america

NP80N055MHE-S18-AY

NP80N055MHE-S18-AY - SWITCHINGN-