Tillverkare Produktnummer:
SPS02N60C3
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
SPS02N60C3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Inventarier:
12806494
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SPS02N60C3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 80µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
200 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
25W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO251-3-11
Paket / Fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Grundläggande produktnummer
SPS02N
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
1,500
Andra namn
INFINFSPS02N60C3
SP000235878
2156-SPS02N60C3-IT
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STU2N62K3
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3000
DEL NUMMER
STU2N62K3-DG
ENHETSPRIS
0.52
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRLI530N
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
SPD08N50C3BTMA1
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO252-3
IRF830PBF
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
