Tillverkare Produktnummer:
IRF830PBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF830PBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
12806499
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF830PBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
610 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
74W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IRF830
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
SP001560108
448-IRF830PBF
2156-IRF830PBF
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRF830PBF-BE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3320
DEL NUMMER
IRF830PBF-BE3-DG
ENHETSPRIS
0.53
Ersättnings typ
Direct
DELNUMMER
IRF830PBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
9086
DEL NUMMER
IRF830PBF-DG
ENHETSPRIS
0.53
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFS4410TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
IRFB4410
MOSFET N-CH 100V 96A TO220AB
SPA11N60C3IN
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3-31
