Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
SPP11N60S5HKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
SPP11N60S5HKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventarier:
Förfrågan Online
12807423
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SPP11N60S5HKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
380mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 500µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1460 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3-1
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
SPP11N
Datablad och dokument
Datablad
SPP,SPI11N60S5
Datasheets
SPP11N60S5HKSA1
HTML-Datasheet
SPP11N60S5HKSA1-DG
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
SPP11N60S5IN
SPP11N60S5X
SPP11N60S5
SPP11N60S5IN-NDR
SPP11N60S5IN-DG
SPP11N60S5XTIN
SPP11N60S5XTIN-DG
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
TK14E65W5,S1X
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
15
DEL NUMMER
TK14E65W5,S1X-DG
ENHETSPRIS
1.26
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STP13N60M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
971
DEL NUMMER
STP13N60M2-DG
ENHETSPRIS
0.76
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IXKC20N60C
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IXKC20N60C-DG
ENHETSPRIS
9.07
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STP13NM60ND
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
87
DEL NUMMER
STP13NM60ND-DG
ENHETSPRIS
1.64
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STP11NM80
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
695
DEL NUMMER
STP11NM80-DG
ENHETSPRIS
2.99
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SPI15N65C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
IRLML2030TRPBF
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
SPP80N03S2-03
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
IRLR024NTRL
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK