Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
SPP04N50C3XKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
SPP04N50C3XKSA1-DG
Beskrivning:
LOW POWER_LEGACY
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 560 V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventarier:
Förfrågan Online
12807904
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SPP04N50C3XKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
560 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
950mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 200µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
470 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
50W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3-1
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
SPP04N
Datablad och dokument
Datablad
SP(P,A)04N50C3
Datasheets
SPP04N50C3XKSA1
HTML-Datasheet
SPP04N50C3XKSA1-DG
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
SP000681022
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STP8N80K5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
113
DEL NUMMER
STP8N80K5-DG
ENHETSPRIS
0.97
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STP9NK65Z
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
STP9NK65Z-DG
ENHETSPRIS
1.54
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IRF830PBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
9086
DEL NUMMER
IRF830PBF-DG
ENHETSPRIS
0.53
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
SPA06N80C3XKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
13208
DEL NUMMER
SPA06N80C3XKSA1-DG
ENHETSPRIS
0.84
Ersättnings typ
Direct
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
VN10KN3-G-P003
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
SPW20N60C3E8177FKSA1
MOSFET N-CH
IRL3303S
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
SPD02N50C3BTMA1
LOW POWER_LEGACY