Tillverkare Produktnummer:
SPI11N65C3XKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
SPI11N65C3XKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 11A TO262-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventarier:
12805838
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SPI11N65C3XKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
380mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 500µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO262-3-1
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
SPI11N
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
SPI11N65C3-DG
SPI11N65C3X
SPI11N65C3IN-DG
SP000680994
SPI11N65C3
SPI11N65C3IN
SPI11N65C3XK
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STI20N65M5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1000
DEL NUMMER
STI20N65M5-DG
ENHETSPRIS
1.27
Ersättnings typ
Direct
DELNUMMER
STP18N65M5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
896
DEL NUMMER
STP18N65M5-DG
ENHETSPRIS
1.26
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFH8325TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN
IRFH5020TRPBF
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
SPD08P06P
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
