Tillverkare Produktnummer:
IRFH5020TRPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRFH5020TRPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 5.1A (Ta) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventarier:
7900 Pcs Ny Original I Lager
12805842
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFH5020TRPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
55mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 150µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2290 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-PQFN (5x6)
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
IRFH5020
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
IRFH5020TRPBFDKR
IRFH5020TRPBFTR
IRFH5020TRPBFCT
IRFH5020TRPBF-DG
SP001575478
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SPD08P06P
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
IRF5803TRPBF
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
IRF7805A
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
