Tillverkare Produktnummer:
SPA07N60C3XKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
SPA07N60C3XKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 7.3A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Inventarier:
487 Pcs Ny Original I Lager
12806518
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SPA07N60C3XKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
790 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
32W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3-31
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
SPA07N60
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SPA07N60C3IN-DG
SPA07N60C3
INFINFSPA07N60C3XKSA1
SPA07N60C3IN
SPA07N60C3XK
2156-SPA07N60C3XKSA1
SP000216303
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFU15N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 17A IPAK
IRF5210STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
IRF5305LPBF
MOSFET P-CH 55V 31A TO262