IRFU15N20DPBF
Tillverkare Produktnummer:

IRFU15N20DPBF

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRFU15N20DPBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 200V 17A IPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 17A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)

Inventarier:

Förfrågan Online
12806519
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRFU15N20DPBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
165mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
910 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
110W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
IPAK (TO-251AA)
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Datablad och dokument

Datablad
IRF(R,U)15N20DPbF

Ytterligare information

Standard-paket
75
Andra namn
*IRFU15N20DPBF
SP001576362

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

IRF5210STRLPBF

MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK

infineon-technologies

IRF5305LPBF

MOSFET P-CH 55V 31A TO262

infineon-technologies

SPB35N10 G

MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3

infineon-technologies

IRF7832TR

MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC