Tillverkare Produktnummer:
IRL2910STRLPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRL2910STRLPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 55A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventarier:
8266 Pcs Ny Original I Lager
12807376
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRL2910STRLPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
26mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 5 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3700 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
D2PAK
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IRL2910
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
IRL2910STRLPBFCT
IRL2910STRLPBF-DG
IRL2910STRLPBFDKR
SP001571800
IRL2910STRLPBFTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SPP15P10PLGHKSA1
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
IRF3711PBF
MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
IRLR8103
MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK
