IRF3711PBF

Tillverkare Produktnummer:

IRF3711PBF

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRF3711PBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 20 V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventarier:

Förfrågan Online

12807382

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IRF3711PBF Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Infineon Technologies

Förpackning

-

Serie

HEXFET®

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

20 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

110A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

4.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

44 nC @ 4.5 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

2980 pF @ 10 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

3.1W (Ta), 120W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

TO-220AB

Paket / Fodral

TO-220-3

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

50

Andra namn

SP001561720

*IRF3711PBF

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

infineon-technologies

IRLR8103

MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK

infineon-technologies

IRF6644TR1PBF

MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET

infineon-technologies

IRFB3077GPBF

MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB

IRLU3636-701TRP

MOSFET N-CH 60V 50A IPAK