IRFU4105PBF

Tillverkare Produktnummer:

IRFU4105PBF

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRFU4105PBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 55V 27A IPAK

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 55 V 27A (Tc) 68W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)

Inventarier:

Förfrågan Online

12805915

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IRFU4105PBF Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Infineon Technologies

Förpackning

-

Serie

HEXFET®

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

55 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

27A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

45mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

34 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

700 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

68W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

IPAK (TO-251AA)

Paket / Fodral

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

75

Andra namn

SP001567818

*IRFU4105PBF

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

infineon-technologies

IRLS3813PBF

MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK

infineon-technologies

IRL3713PBF

MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB

infineon-technologies

IRFSL5615PBF

MOSFET N-CH 150V 33A TO262

IRF8721PBF

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO