IRFSL5615PBF

Tillverkare Produktnummer:

IRFSL5615PBF

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRFSL5615PBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 150V 33A TO262

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-262

Inventarier:

984 Pcs Ny Original I Lager

12805919

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IRFSL5615PBF Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Infineon Technologies

Förpackning

Tube

Serie

-

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

150 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

33A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

42mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

40 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1750 pF @ 50 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

144W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

TO-262

Paket / Fodral

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Grundläggande produktnummer

IRFSL5615

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

IRFSL5615PBF-DG

Ytterligare information

Standard-paket

1,000

Andra namn

SP001567730

IFEINFIRFSL5615PBF

2156-IRFSL5615PBF

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

IRF8721PBF

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

infineon-technologies

IRF3315STRRPBF

MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

infineon-technologies

IRF9520NLPBF

MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262

infineon-technologies

IRFS7530TRL7PP

MOSFET N CH 60V 240A D2PAK