IRFSL3107PBF
Tillverkare Produktnummer:

IRFSL3107PBF

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRFSL3107PBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 75V 195A TO262
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 75 V 195A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-262

Inventarier:

12807089
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRFSL3107PBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
75 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3mOhm @ 140A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9370 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
370W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
IRFSL3107

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
1,000
Andra namn
2156-IRFSL3107PBF
INFINFIRFSL3107PBF
SP001557588

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
IRFSL3207ZPBF
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
880
DEL NUMMER
IRFSL3207ZPBF-DG
ENHETSPRIS
1.46
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
infineon-technologies

IRF9520NSTRL

MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK

infineon-technologies

IRFR4105TRR

MOSFET N-CH 55V 27A DPAK

infineon-technologies

IRF5803

MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6

infineon-technologies

IRF8308MTRPBF

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET