Tillverkare Produktnummer:
IRFSL3207ZPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRFSL3207ZPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 75V 120A TO262
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-262
Inventarier:
880 Pcs Ny Original I Lager
12805306
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFSL3207ZPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
75 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.1mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6920 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
IRFSL3207
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SP001552364
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFR5505GTRPBF
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
IRFU9024NPBF
MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
IPB80N08S406ATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
