Tillverkare Produktnummer:
IRFP4227PBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRFP4227PBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 200V 65A TO247AC
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 65A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventarier:
1028 Pcs Ny Original I Lager
12807211
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFP4227PBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
25mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4600 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
330W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247AC
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
IRFP4227
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
25
Andra namn
SP001560510
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPU80R750P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3
SPI15N60C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
IRLHM630TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
