Tillverkare Produktnummer:
SPI15N60C3HKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
SPI15N60C3HKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventarier:
12807216
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SPI15N60C3HKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
280mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 675µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1660 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
156W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO262-3-1
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
SPI15N
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
SPI15N60C3XK
SPI15N60C3IN-DG
SPI15N60C3IN
SPI15N60C3
SPI15N60C3-DG
SPI15N60C3X
SP000014528
SP000680998
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STI24N60M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1180
DEL NUMMER
STI24N60M2-DG
ENHETSPRIS
1.07
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRLHM630TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
SPN03N60S5
MOSFET N-CH 600V 700MA SOT223-4
SPD06N60C3BTMA1
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO252-3
