Tillverkare Produktnummer:
IRFH5220TRPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRFH5220TRPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 200V 3.8A/20A PQFN
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 3.8A (Ta), 20A (Tc) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Inventarier:
12804742
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFH5220TRPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.8A (Ta), 20A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
99.9mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1380 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PQFN (5x6)
Paket / Fodral
8-VQFN Exposed Pad
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
SP001570846
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
BSC12DN20NS3GATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
11979
DEL NUMMER
BSC12DN20NS3GATMA1-DG
ENHETSPRIS
0.52
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
FDMS2672
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1825
DEL NUMMER
FDMS2672-DG
ENHETSPRIS
1.14
Ersättnings typ
Direct
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFZ48NSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
IPP100N08S207AKSA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
IPB108N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
