IPB108N15N3GATMA1
Tillverkare Produktnummer:

IPB108N15N3GATMA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPB108N15N3GATMA1-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 83A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Inventarier:

3546 Pcs Ny Original I Lager
12804746
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IPB108N15N3GATMA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
83A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
8V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
10.8mOhm @ 83A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 160µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3230 pF @ 75 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
214W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB108

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
1,000
Andra namn
IPB108N15N3 GDKR
IPB108N15N3 GCT
IPB108N15N3GATMA1CT
IPB108N15N3 G-DG
SP000677862
IPB108N15N3 GTR-DG
IPB108N15N3G
IPB108N15N3 GCT-DG
IPB108N15N3 G
IPB108N15N3GATMA1DKR
IPB108N15N3GATMA1TR
2156-IPB108N15N3GATMA1
IPB108N15N3 GDKR-DG
INFINFIPB108N15N3GATMA1

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
infineon-technologies

IPN70R1K4P7SATMA1

MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223

infineon-technologies

IRFL024Z

MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223

infineon-technologies

IPD75N04S406ATMA1

MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3

infineon-technologies

IPD040N03LGATMA1

MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3