Tillverkare Produktnummer:
IRFB11N50APBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRFB11N50APBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
12806089
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFB11N50APBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
520mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1423 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
170W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
448-IRFB11N50APBF
SP001563792
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRFB11N50APBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2122
DEL NUMMER
IRFB11N50APBF-DG
ENHETSPRIS
0.98
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DELNUMMER
IRFB11N50APBF-BE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2600
DEL NUMMER
IRFB11N50APBF-BE3-DG
ENHETSPRIS
1.00
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPW65R125C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
IPS70R360P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
IRF5305STRR
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
