Tillverkare Produktnummer:
IPS70R360P7SAKMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPS70R360P7SAKMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 700 V 12.5A (Tc) 59.5W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventarier:
2881 Pcs Ny Original I Lager
12806092
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPS70R360P7SAKMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
700 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
360mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
16.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
517 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
59.5W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO251-3
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
IPS70R360
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
75
Andra namn
448-IPS70R360P7SAKMA1
SP001499712
IPS70R360P7SAKMA1-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF5305STRR
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
IPP80N04S404AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
IRFB4310GPBF
MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB