Tillverkare Produktnummer:
IRF7811APBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF7811APBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 28 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventarier:
12813177
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF7811APBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
28 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V
rds på (max) @ id, vgs
10mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1760 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SO
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
IRF7811
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
95
Andra namn
SP001555634
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
DMN2009LSS-13
Tillverkare
Diodes Incorporated
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1816
DEL NUMMER
DMN2009LSS-13-DG
ENHETSPRIS
0.22
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
FDS8880
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
16306
DEL NUMMER
FDS8880-DG
ENHETSPRIS
0.24
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
FDS4672A
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
57500
DEL NUMMER
FDS4672A-DG
ENHETSPRIS
0.46
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFR120NTRRPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
SPP80N06S2-07
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRF1104STRL
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
