FDS8880
Tillverkare Produktnummer:

FDS8880

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

FDS8880-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 11.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventarier:

16306 Pcs Ny Original I Lager
12839895
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDS8880 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11.6A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
10mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1235 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
FDS88

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
2,500
Andra namn
FDS8880TR
FDS8880DKR
FDS8880CT
FDS8880-DG

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
onsemi

EFC4615R-TR

MOSFET N-CH 24V 6A EFCP

onsemi

SFP9530

MOSFET P-CH 100V 10.5A TO220-3

onsemi

FQD5P10TM

MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK

onsemi

FDMS7692

MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN