Tillverkare Produktnummer:
IRF7494PBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF7494PBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 5.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventarier:
12805154
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF7494PBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
44mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1783 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SO
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
95
Andra namn
SP001555466
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPP072N10N3GHKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
IRFI4227PBF
MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP
IRF7807D2PBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
