Tillverkare Produktnummer:
IPD60R380P6ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD60R380P6ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventarier:
12805161
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD60R380P6ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P6
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
380mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 320µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
877 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
83W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD60R
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
SP001135814
IPD60R380P6ATMA1DKR
IPD60R380P6ATMA1CT
IPD60R380P6ATMA1TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
AOD11S60
Tillverkare
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
5786
DEL NUMMER
AOD11S60-DG
ENHETSPRIS
0.87
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPD950P06NMSAUMA1
MOSFET P-CH 60V TO252-3
IPW60R070C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3
IPD25CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3
