Tillverkare Produktnummer:
IRF7201TRPBFXTMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF7201TRPBFXTMA1-DG
Beskrivning:
PLANAR <=40V
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 7.3A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount PG-DSO-8-902
Inventarier:
13000559
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF7201TRPBFXTMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
30mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-DSO-8-902
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
SP005876270
448-IRF7201TRPBFXTMA1TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IMZA120R030M1HXKSA1
SIC DISCRETE
ISK024NE2LM5AUSA1
TRENCH <= 40V
IAUCN04S7N005ATMA1
MOSFET_(20V 40V)