ISK024NE2LM5AUSA1

Tillverkare Produktnummer:

ISK024NE2LM5AUSA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

ISK024NE2LM5AUSA1-DG

Beskrivning:

TRENCH <= 40V

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 40 V 20A (Ta), 103A (Tc) 2.1W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PG-VSON-6-1

Inventarier:

Förfrågan Online

13000565

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

ISK024NE2LM5AUSA1 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Infineon Technologies

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Serie

OptiMOS™ 5

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

40 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

20A (Ta), 103A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

4.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

-

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Vgs (max)

-

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

2.1W (Ta), 39W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

PG-VSON-6-1

Paket / Fodral

6-PowerVDFN

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

ISK024NE2LM5AUSA1

HTML-Datasheet

ISK024NE2LM5AUSA1-DG

Ytterligare information

Standard-paket

3,000

Andra namn

448-ISK024NE2LM5AUSA1DKR

448-ISK024NE2LM5AUSA1CT

448-ISK024NE2LM5AUSA1TR

SP005859969

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

infineon-technologies

IAUCN04S7N005ATMA1

MOSFET_(20V 40V)

IRF8714TRPBFXTMA1

TRENCH <= 40V

infineon-technologies

IPDQ60R020CFD7XTMA1

HIGH POWER_NEW

IAUCN04S6N018TATMA1

MOSFET_(20V 40V)