Tillverkare Produktnummer:
IRF6678
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF6678-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventarier:
12805660
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF6678 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Ta), 150A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5640 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DIRECTFET™ MX
Paket / Fodral
DirectFET™ Isometric MX
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
4,800
Andra namn
SP001526792
IRF6678TR
IRF6678CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
PSMN2R0-30YL,115
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
20769
DEL NUMMER
PSMN2R0-30YL,115-DG
ENHETSPRIS
0.57
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFS59N10DPBF
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
IPP90R340C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3
IRFZ44NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
