Tillverkare Produktnummer:
IPD25N06S4L30ATMA2
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD25N06S4L30ATMA2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 25A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventarier:
16688 Pcs Ny Original I Lager
12805665
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD25N06S4L30ATMA2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
30mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 8µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
16.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1220 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
29W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3-11
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD25N06
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
IPD25N06S4L30ATMA2TR
IPD25N06S4L30ATMA2-DG
2156-IPD25N06S4L30ATMA2
IPD25N06S4L30ATMA2DKR
SP001028636
IPD25N06S4L30ATMA2CT
IFEINFIPD25N06S4L30ATMA2
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFR2405TRL
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
IRL1404ZS
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
IPW65R045C7FKSA1
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
