Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
DR Kongo
Argentina
Turkiet
Rumänien
Litauen
Norge
Österrike
Angola
Slovakien
Italien
Finland
Vitryssland
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Montenegro
Ryska
Belgien
Sverige
Serbien
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Moldavien
Tyskland
Nederländerna
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankrike
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Portugal
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IPD25N06S4L30ATMA2
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD25N06S4L30ATMA2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 25A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventarier:
16688 Pcs Ny Original I Lager
12805665
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD25N06S4L30ATMA2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
30mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 8µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
16.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1220 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
29W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3-11
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD25N06
Datablad och dokument
Datablad
IPD25N06S4L-30
Datasheets
IPD25N06S4L30ATMA2
HTML-Datasheet
IPD25N06S4L30ATMA2-DG
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
IPD25N06S4L30ATMA2TR
IPD25N06S4L30ATMA2-DG
2156-IPD25N06S4L30ATMA2
IPD25N06S4L30ATMA2DKR
SP001028636
IPD25N06S4L30ATMA2CT
IFEINFIPD25N06S4L30ATMA2
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFR2405TRL
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
IRL1404ZS
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
IPW65R045C7FKSA1
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
IRF7322D1TRPBF
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO