Tillverkare Produktnummer:
IRF3205STRLPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF3205STRLPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventarier:
5297 Pcs Ny Original I Lager
12816120
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF3205STRLPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
55 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
8mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
146 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3247 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
200W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
D2PAK
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IRF3205
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
IRF3205STRLPBF-DG
SP001576758
IRF3205STRLPBFTR
IRF3205STRLPBFDKR
IRF3205STRLPBFCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPB083N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
SPS03N60C3BKMA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3
IRFB7440GPBF
MOSFET N CH 40V 120A TO220AB
