Tillverkare Produktnummer:
SPB18P06P
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
SPB18P06P-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Surface Mount PG-TO263-3
Inventarier:
12816252
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SPB18P06P Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
SIPMOS®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18.7A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
860 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
81.1W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
SPB18P
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
SPB18P06PT
2156-SPB18P06P-ITTR
INFINFSPB18P06P
SP000012329
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
SPB18P06PGATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2030
DEL NUMMER
SPB18P06PGATMA1-DG
ENHETSPRIS
0.44
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPD60R280P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
IRF7453
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO
IRF7780MTRPBF
MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET
