Tillverkare Produktnummer:
IRF3205L
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF3205L-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 55V 110A TO262
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Inventarier:
12804404
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF3205L Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
55 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
8mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
146 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3247 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
200W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
*IRF3205L
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFS3307ZPBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
IPI020N06NAKSA1
MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO262
IRFP1405PBF
MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC
