Tillverkare Produktnummer:
IPI020N06NAKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPI020N06NAKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO262
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 29A (Ta), 120A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventarier:
12804407
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPI020N06NAKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
29A (Ta), 120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 143µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7800 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3W (Ta), 214W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO262-3-1
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
IPI02N
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
INFINFIPI020N06NAKSA1
IPI020N06N-DG
2156-IPI020N06NAKSA1
SP000962132
IPI020N06N
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPI086N10N3GXKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
270
DEL NUMMER
IPI086N10N3GXKSA1-DG
ENHETSPRIS
0.69
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFP1405PBF
MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC
IRF6662TR1PBF
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
IRFB5620PBF
MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
