Tillverkare Produktnummer:
IRF100P219AKMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF100P219AKMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V TO247AC
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 203A (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventarier:
383 Pcs Ny Original I Lager
12989793
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF100P219AKMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
StrongIRFET™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
203A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 278µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
12020 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 341W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO247-3
Paket / Fodral
TO-247-3
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
25
Andra namn
SP005537805
448-IRF100P219AKMA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SCTWA90N65G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
NTH4LN067N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
TPW5200FNH,L1Q
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
