NTMFS006N12MCT1G
Tillverkare Produktnummer:

NTMFS006N12MCT1G

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

NTMFS006N12MCT1G-DG

Beskrivning:

POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 120 V 15A (Ta), 93A (Tc) 2.7W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Inventarier:

12989821
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

NTMFS006N12MCT1G Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
120 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15A (Ta), 93A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
6mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 260µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3365 pF @ 60 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.7W (Ta), 104W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Fodral
8-PowerTDFN, 5 Leads

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
1,500
Andra namn
488-NTMFS006N12MCT1GTR
488-NTMFS006N12MCT1GDKR
488-NTMFS006N12MCT1GCT

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SIHFPS40N50L-GE3

POWER MOSFET SUPER-247, 100 M @

toshiba-semiconductor-and-storage

TK19A50W,S5X

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

rohm-semi

RA1C030LDT5CL

NCH 20V 3.0A, SMM1006, SMM1006:

toshiba-semiconductor-and-storage

TK14V65W,LQ

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM