Tillverkare Produktnummer:

IQDH45N04LM6CGATMA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IQDH45N04LM6CGATMA1-DG

Beskrivning:

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 40 V 60A (Ta), 637A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-U02

Inventarier:

8453 Pcs Ny Original I Lager

12943336

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IQDH45N04LM6CGATMA1 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Infineon Technologies

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Serie

OptiMOS™ 6

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

40 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

60A (Ta), 637A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

4.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

0.45mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 1.449mA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

129 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

12000 pF @ 20 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

3W (Ta), 333W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

PG-TTFN-9-U02

Paket / Fodral

9-PowerTDFN

Grundläggande produktnummer

IQDH45

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket

5,000

Andra namn

448-IQDH45N04LM6CGATMA1CT

448-IQDH45N04LM6CGATMA1DKR

448-IQDH45N04LM6CGATMA1TR

SP005588804

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

IQDH35N03LM5CGATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

IQD009N06NM5CGATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

IQD005N04NM6CGATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

IQD016N08NM5CGATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR