Tillverkare Produktnummer:

IQD016N08NM5CGATMA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IQD016N08NM5CGATMA1-DG

Beskrivning:

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 80 V 31A (Ta), 323A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-U02

Inventarier:

Förfrågan Online

12943345

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IQD016N08NM5CGATMA1 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Infineon Technologies

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Serie

OptiMOS™ 5

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

80 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

31A (Ta), 323A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

6V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

1.57mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.8V @ 159µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

133 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

9200 pF @ 40 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

3W (Ta), 333W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

PG-TTFN-9-U02

Paket / Fodral

9-PowerTDFN

Grundläggande produktnummer

IQD016

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket

5,000

Andra namn

448-IQD016N08NM5CGATMA1CT

448-IQD016N08NM5CGATMA1DKR

448-IQD016N08NM5CGATMA1TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8542.39.0001

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

stmicroelectronics

STP50N60DM6

MOSFET N-CH 600V 36A TO220

STN6N60M2

MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2

stmicroelectronics

STO67N60DM6

MOSFET N-CH 600V 33A TOLL

stmicroelectronics

STO67N60M6

MOSFET N-CH 600V 34A TOLL