Tillverkare Produktnummer:
IPT015N10N5ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPT015N10N5ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Inventarier:
7454 Pcs Ny Original I Lager
12802833
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPT015N10N5ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
300A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.5mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
16000 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
375W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-HSOF-8-1
Paket / Fodral
8-PowerSFN
Grundläggande produktnummer
IPT015
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,000
Andra namn
IPT015N10N5ATMA1CT
IPT015N10N5ATMA1DKR
IPT015N10N5ATMA1TR
SP001227040
Q10142123
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPB026N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
IRF6785MTR1PBF
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
IRFR3704ZTRLPBF
MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
