Tillverkare Produktnummer:
IPB026N06NATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB026N06NATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 25A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventarier:
2943 Pcs Ny Original I Lager
12802834
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB026N06NATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
25A (Ta), 100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 75µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4100 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3W (Ta), 136W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB026
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
IPB026N06NATMA1DKR
IPB026N06NTR-DG
IPB026N06NCT
IPB026N06N-DG
IPB026N06NATMA1TR
IPB026N06NTR
IPB026N06NDKR-DG
SP000962142
IPB026N06NATMA1CT
IPB026N06NCT-DG
IPB026N06NDKR
IPB026N06N
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF6785MTR1PBF
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
IRFR3704ZTRLPBF
MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
IRFB7430GPBF
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
