Tillverkare Produktnummer:
BSP372NH6327XTSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSP372NH6327XTSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventarier:
15063 Pcs Ny Original I Lager
12802844
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSP372NH6327XTSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
230mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 218µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
329 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.8W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-SOT223-4
Paket / Fodral
TO-261-4, TO-261AA
Grundläggande produktnummer
BSP372
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
SP001059326
BSP372NH6327XTSA1CT
BSP372NH6327XTSA1TR
BSP372NH6327XTSA1DKR
BSP372NH6327XTSA1-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFR120ZTRPBF
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
IPP60R380E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
IRFZ48NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
