Tillverkare Produktnummer:
IPB160N04S2L03ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB160N04S2L03ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Inventarier:
12802848
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB160N04S2L03ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Discontinued at Digi-Key
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6000 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-7-3
Paket / Fodral
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Grundläggande produktnummer
IPB160N
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
IPB160N04S2L-03
IPB160N04S2L-03-DG
IPB160N04S2L03ATMA1TR
SP000218153
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
SQM200N04-1M7L_GE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
SQM200N04-1M7L_GE3-DG
ENHETSPRIS
1.41
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPS50R520CP
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO251-3
IPB160N04S4LH1ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
IPI100N06S3L-03
MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
