Tillverkare Produktnummer:
IPP65R050CFD7AAKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP65R050CFD7AAKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 45A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 45A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventarier:
12978134
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP65R050CFD7AAKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
*
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
50mOhm @ 24.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.24mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4975 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
227W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP65R050
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
448-IPP65R050CFD7AAKSA1
SP003793132
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPWS65R050CFD7AXKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
81
DEL NUMMER
IPWS65R050CFD7AXKSA1-DG
ENHETSPRIS
6.44
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BUK7611-55A,118
NOW NEXPERIA BUK7611-55A - 75A,
IPW65R099CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41
AON6104FH
MOSFET N-CH 8DFN 5X6
