Tillverkare Produktnummer:
IMBG120R090M1HXTMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IMBG120R090M1HXTMA1-DG
Beskrivning:
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 26A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Inventarier:
2681 Pcs Ny Original I Lager
12978148
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IMBG120R090M1HXTMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolSiC™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Tc)
rds på (max) @ id, vgs
125mOhm @ 8.5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 3.7mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 18 V
Vgs (max)
+18V, -15V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
763 pF @ 800 V
FET-funktion
Standard
Effektförlust (max)
136W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-7-12
Paket / Fodral
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Grundläggande produktnummer
IMBG120
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
448-IMBG120R090M1HXTMA1CT
448-IMBG120R090M1HXTMA1DKR
448-IMBG120R090M1HXTMA1TR
SP004463788
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
GT6K2P10KH
MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
AUIRFB8405
AUIRFB8405 - 20V-40V N-CHANNEL A
FCH043N60
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
