Tillverkare Produktnummer:
IPP200N15N3GXKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP200N15N3GXKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventarier:
10256 Pcs Ny Original I Lager
12803287
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP200N15N3GXKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
8V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
20mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1820 pF @ 75 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
150W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP200
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
IPP200N15N3G
IPP200N15N3 G
IPP200N15N3 G-DG
SP000680884
IPP200N15N3GXKSA1-DG
448-IPP200N15N3GXKSA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPT60R080G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
IRF7207PBF
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
IPP60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
