Tillverkare Produktnummer:
IPP60R190P6XKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP60R190P6XKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventarier:
5594 Pcs Ny Original I Lager
12803291
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP60R190P6XKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™ P6
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 630µ
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1750 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
151W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP60R190
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
IPP60R190P6XKSA1-DG
SP001017066
448-IPP60R190P6XKSA1
2156-IPP60R190P6XKSA1
IPP60R190P6-DG
IPP60R190P6
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPD075N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
IPP60R250CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
IPS20N03L G
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
