Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IPP057N06N3GXKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP057N06N3GXKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventarier:
494 Pcs Ny Original I Lager
12803514
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
5
U
Q
h
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP057N06N3GXKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Not For New Designs
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
5.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 58µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6600 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
115W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP057
Datablad och dokument
Datablad
IPx054,57N06N3 G
Datasheets
IPP057N06N3GXKSA1
HTML-Datasheet
IPP057N06N3GXKSA1-DG
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
IPP057N06N3 G
IPP057N06N3G
IPP057N06N3 G-DG
SP000680808
INFINFIPP057N06N3GXKSA1
2156-IPP057N06N3GXKSA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
PSMN4R6-60PS,127
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
7843
DEL NUMMER
PSMN4R6-60PS,127-DG
ENHETSPRIS
1.15
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
DMTH6005LCT
Tillverkare
Diodes Incorporated
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
DMTH6005LCT-DG
ENHETSPRIS
0.95
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IXTP120N075T2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
44
DEL NUMMER
IXTP120N075T2-DG
ENHETSPRIS
1.69
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
TK4R3E06PL,S1X
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
177
DEL NUMMER
TK4R3E06PL,S1X-DG
ENHETSPRIS
0.51
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
PSMN3R0-60PS,127
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
4251
DEL NUMMER
PSMN3R0-60PS,127-DG
ENHETSPRIS
1.62
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPP50R500CEXKSA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO220-3
IRFR13N20DTRLP
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
IPD60R380E6ATMA2
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
IRFZ44VZPBF
MOSFET N-CH 60V 57A TO220AB